플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 및 제작 방법TERNARY LOGIC CIRCUITS INCLUDING FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 및 제작 방법이 제시된다. 일 실시예에 따른 플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 제작 방법은, 이종 접합 트랜지스터를 준비하는 단계; 및 상기 이종 접합 트랜지스터와 상보를 이루는 트랜지스터에 채널 전도도를 조절하는 플래시 메모리 소자를 집적하는 단계를 포함하고, 상기 이종 접합 트랜지스터 및 상기 플래시 메모리 소자가 포함된 상기 상보를 이루는 트랜지스터를 포함하여 삼진 논리회로를 구성할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원, 가천대학교 산학협력단
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-09-10
- Application Number
- 10-2021-0121144
- Registration Date
- 2023-09-11
- Registration Number
- 10-2578614-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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