플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 및 제작 방법TERNARY LOGIC CIRCUITS INCLUDING FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 유호천 | ko |
| dc.contributor.author | 최준환 | ko |
| dc.contributor.author | 이창현 | ko |
| dc.contributor.author | 이충열 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-10-12T05:00:36Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-12T05:00:36Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/313256 | - |
| dc.description.abstract | 플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 및 제작 방법이 제시된다. 일 실시예에 따른 플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 제작 방법은, 이종 접합 트랜지스터를 준비하는 단계; 및 상기 이종 접합 트랜지스터와 상보를 이루는 트랜지스터에 채널 전도도를 조절하는 플래시 메모리 소자를 집적하는 단계를 포함하고, 상기 이종 접합 트랜지스터 및 상기 플래시 메모리 소자가 포함된 상기 상보를 이루는 트랜지스터를 포함하여 삼진 논리회로를 구성할 수 있다. | - |
| dc.title | 플래시 메모리를 포함하는 삼진 논리회로 및 제작 방법 | - |
| dc.title.alternative | TERNARY LOGIC CIRCUITS INCLUDING FLASH MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유호천 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원, 가천대학교 산학협력단 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0121144 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2578614-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-09-10 | - |
| dc.date.registration | 2023-09-11 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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