상변화 메모리 장치 및 이의 제조 방법PHASE CHANGE RAM DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
본 발명에 의하면, 전극, 전극 상에 위치하는 제1 레이어, 및 제1 레이어 상에 위치하는 제2 레이어를 포함하고, 제1 레이어는 국소적으로 형성된 상변화 물질 영역을 포함하는 것인, 상변화 메모리를 제공할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2023-01-17
- Application Number
- 10-2023-0006942
- Registration Date
- 2023-09-18
- Registration Number
- 10-2581503-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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