상변화 메모리 장치 및 이의 제조 방법PHASE CHANGE RAM DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 최신현 | ko |
| dc.contributor.author | 박시온 | ko |
| dc.contributor.author | 홍석만 | ko |
| dc.date.accessioned | 2023-10-12T00:00:28Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-12T00:00:28Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/313229 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명에 의하면, 전극, 전극 상에 위치하는 제1 레이어, 및 제1 레이어 상에 위치하는 제2 레이어를 포함하고, 제1 레이어는 국소적으로 형성된 상변화 물질 영역을 포함하는 것인, 상변화 메모리를 제공할 수 있다. | - |
| dc.title | 상변화 메모리 장치 및 이의 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | PHASE CHANGE RAM DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 최신현 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2023-0006942 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2581503-0000 | - |
| dc.date.application | 2023-01-17 | - |
| dc.date.registration | 2023-09-18 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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