3차원 게이트 올 어라운드 구조의 수평형 및 수직형 나노시트 채널을 갖는 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법

Abstract

본 발명에 따른 3차원 금속 산화막 반도체 전계효과 트랜지스터는, 기판, 상기 기판 상의 제1 영역에 형성되는 수평형 제1 나노시트, 기판 상의 제2 영역에 형성되는 수직형 제2 나노시트 및 제1 나노시트 채널 및 제2 나노시트 채널을 둘러싸는 게이트 전극을 포함하고, 제1 나노시트는 밑변보다 높이가 짧은 저 종횡비로 이루어지고, 제2 나노시트는 밑변보다 높이가 긴 고 종횡비로 이루어진다. 이에 의하면, 기존의 2차원 평면 트랜지스터 대비 더 높은 구동 전류를 얻을 수 있으며, 단채널 효과를 보다 더 효율적으로 억제할 수 있으며, 동일한layout 상의 단위 평면적당 보다 우수한 전기적 특성을 나타낼 수 있다. 그리고, 단채널 효과에 더 강한 내성을 나타낼 수 있기 때문에 소자의 동작 특성면에서 우수한 장점을 지닐 뿐만 아니라, 종래의 PMOSFET에서 나타나는 한계점인 넓은 평면적에 의한 레이아웃의 손실을 방지할 수 있으며 결과적으로 칩의 단가를 줄일 수 있으며, 동일한 단면적에서 더 높은 구동 전류를 얻을 수 있는 기술적 효과를 도모한다.