초소형 온칩 광 센싱을 위한 광 검출 소자 및 GOI 디바이스, 및 그의 제조 방법

Abstract

다양한 실시예들은 초소형 온칩(on-chip) 광 센싱을 위한 광 검출 소자 및 GOI(Ge-on-insulator) 디바이스, 및 그의 제조 방법을 제공할 수 있다. 다양한 실시예들에 따르면, 광 검출 소자 및 GOI 디바이스는 저마늄(Ge) 층을 포함하는 GOI 구조체 상에 구현되며, GOI 디바이스가 광 검출 소자를 구비하도록 구현될 수 있다. 구체적으로, GOI 디바이스는 웨이브가이드 영역이 마련되는 GOI 구조체, 웨이브가이드 영역에 대해 광을 발생시키도록 구성되는 광원 소자, 및 웨이브가이드 영역으로부터 출력되는 광을 검출하도록 구성되는 적어도 하나의 광 검출 소자를 포함할 수 있다. 웨이브가이드 영역의 저마늄 층에는, 광원 소자로부터의 광이 모이도록 구성되는 적어도 하나의 슬롯이 마련될 수 있다. 광원 소자는 웨이브가이드 영역의 저마늄 층에 커플링되도록 광을 발생시킬 수 있다. 광 검출 소자는 저마늄 층에서 광이 진행됨에 따라 발생되는 열을 검출할 수 있다.