3차원 플래시 메모리, 이의 동작 방법 및 이의 제조 방법3D FLASH MEMORY, OPERATING METHOD OF THE SAME AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME
3차원 플래시 메모리, 이의 동작 방법 및 이의 제조 방법이 개시된다. 일 실시예에 따르면, 3차원 플래시 메모리는, 강유전체 패턴의 커패시턴스가 게이트 유전체 패턴의 커패시턴스보다 작은 조건을 만족시키도록 강유전체 패턴에 상부 전극층들 또는 하부 전극층들이 접촉되는 면적이 조절되는 구조를 갖는 것을 특징으로 할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2022-01-11
- Application Number
- 10-2022-0003874
- Registration Date
- 2023-02-28
- Registration Number
- 10-2506204-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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