고집적 반도체 융합 메모리 소자 및 그 제조방법

Abstract

본 발명은 고집적 반도체 융합 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 커패시터 없는 디램(capacitorless DRAM), 즉 비휘발성 메모리 소자(non-volatile memory device) 및 휘발성 메모리 소자(volatile memory device)를 단일 트랜지스터(transistor)에 구현하는 것을 특징으로 하는 고집적 반도체 융합 메모리 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이를 위하여, 본 발명에 따른 고집적 반도체 융합 메모리 소자는, 기판, 소스 및 드레인 전극, 터널링 절연막, 부유 게이트, 제어 절연막 및 제어 게이트를 포함하여 구성된다.본 발명에 따르면, 비휘발성 메모리 소자 및 휘발성 메모리 소자를 단일 트랜지스터 상에 구현함으로써 시스템 온 칩을 용이하게 구현할 수 있는 효과가 있다.쇼트키 접합, 도펀트 편석, 열전자, 융합 메모리, 시스템 온 칩