다중 게이트 트랜지스터 및 이를 이용한 뉴런 소자Multi-gate transistor and Neuron device using the same
본 발명은 다중 게이트 트랜지스터와 이를 이용한 뉴런 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 면적이 서로 다른 두개의 금속 전극을 MFMIS Gate Stack의 탑 게이트로 사용하는 트랜지스터를 제작하여, 면적이 좁은 Gate를 흥분성 신호, 면적이 넓은 Gate를 억제성 신호 입력 전극으로 사용함으로써, 단일 트랜지스터만으로 흥분성 및 억제성 신호를 모두 받으며 LIF 동작을 모사하는 뉴런 소자에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2021-11-12
- Application Number
- 10-2021-0155532
- Registration Date
- 2022-11-17
- Registration Number
- 10-2469455-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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