다중 게이트 트랜지스터 및 이를 이용한 뉴런 소자Multi-gate transistor and Neuron device using the same
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.contributor.author | 이규섭 | ko |
| dc.contributor.author | 김형진 | ko |
| dc.contributor.author | 신의중 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-12-12T02:02:08Z | - |
| dc.date.available | 2022-12-12T02:02:08Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/302747 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 다중 게이트 트랜지스터와 이를 이용한 뉴런 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 면적이 서로 다른 두개의 금속 전극을 MFMIS Gate Stack의 탑 게이트로 사용하는 트랜지스터를 제작하여, 면적이 좁은 Gate를 흥분성 신호, 면적이 넓은 Gate를 억제성 신호 입력 전극으로 사용함으로써, 단일 트랜지스터만으로 흥분성 및 억제성 신호를 모두 받으며 LIF 동작을 모사하는 뉴런 소자에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 다중 게이트 트랜지스터 및 이를 이용한 뉴런 소자 | - |
| dc.title.alternative | Multi-gate transistor and Neuron device using the same | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2021-0155532 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2469455-0000 | - |
| dc.date.application | 2021-11-12 | - |
| dc.date.registration | 2022-11-17 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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