고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그 제조 방법

Abstract

본 발명은 임계전류(JC)를 증가시키기 위한 주요 파라메터인 YBCO의 결정성의 향상을 위한 고온 초전도체 성장용 금속기판에 관한 것으로 특히, 제 1 결정방향으로 결정이 성장되어진 과산화티탄스트론늄을 제 1 완충 층으로 사용하고, 그 위에 전도성이 큰 금속이 증착되며, 증착된 금속의 상부에 상기 제 1 결정방향으로 결정을 성장시킨 과산화티탄스트론늄의 제 2 완충 층으로 구성되는 주조를 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 완충 층으로 사용되는 과산화티탄스트론늄의 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그에 따른 그 제조 방법을 제공하여 고온 초전도체가 C축으로 성장할 수 있도록하기 위한 최적의 완충 층을 갖는 성장기판을 형성하는데 종래의 기술에서 나타냈던 한계점을 해소 할 수 있다는 효과를 얻는다.