DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 염도준 | ko |
dc.contributor.author | 구두훈 | ko |
dc.contributor.author | 안근호 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-12-10T06:00:15Z | - |
dc.date.available | 2022-12-10T06:00:15Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/302566 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 임계전류(JC)를 증가시키기 위한 주요 파라메터인 YBCO의 결정성의 향상을 위한 고온 초전도체 성장용 금속기판에 관한 것으로 특히, 제 1 결정방향으로 결정이 성장되어진 과산화티탄스트론늄을 제 1 완충 층으로 사용하고, 그 위에 전도성이 큰 금속이 증착되며, 증착된 금속의 상부에 상기 제 1 결정방향으로 결정을 성장시킨 과산화티탄스트론늄의 제 2 완충 층으로 구성되는 주조를 갖는 것을 특징으로 하며, 상기 완충 층으로 사용되는 과산화티탄스트론늄의 결정 성장 방향은 [001]의 축방향인 고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그에 따른 그 제조 방법을 제공하여 고온 초전도체가 C축으로 성장할 수 있도록하기 위한 최적의 완충 층을 갖는 성장기판을 형성하는데 종래의 기술에서 나타냈던 한계점을 해소 할 수 있다는 효과를 얻는다. | - |
dc.title | 고온 초전도체 성장용 금속기판 및 그 제조 방법 | - |
dc.title.alternative | METAL SUBSTRATE FOR GROWING OF HIGH Tc SUPERCONDUCTOR AND FABRICATING METHOD OF THE SAME | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 염도준 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 구두훈 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 안근호 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1997-0012669 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0228185-0000 | - |
dc.date.application | 1997-04-07 | - |
dc.date.registration | 1999-08-09 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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