저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법

Abstract

본 발명은 반도체 기억 소자, 즉 메모리에서 소모되는 전력을 줄이기 위한 설계 방법으로서 전기신호의 논리상태를 저장하는 복수개의 메모리 셀이 N개의 행과 M개의 열로 배열되어 있는 메모리 셀 어레이와 필요한 경우 각 메모리 셀의 논리상태를 반전시키고 관리할 수 있는 수단을 구비하고 있는 메모리를 제공하며, 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 셀의 영역을 가능한 범위 내에서 임의의 크기와 모양을 가지는 블록영역으로 세분하는 제 1과정과, 제 1과정을 통해 세분되어진 각 블록 영역에서 소비되는 전력량을 해당 블록의 논리반전으로 줄일 수 있는가를 정적 또는 동적으로 판단하고 필요에 따라 반전 저장 및 관리하는 제 2과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 및 운용 방법에 관한 것이다.