DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 경종민 | ko |
dc.contributor.author | 장유성 | ko |
dc.date.accessioned | 2022-11-24T05:02:09Z | - |
dc.date.available | 2022-11-24T05:02:09Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300699 | - |
dc.description.abstract | 본 발명은 반도체 기억 소자, 즉 메모리에서 소모되는 전력을 줄이기 위한 설계 방법으로서 전기신호의 논리상태를 저장하는 복수개의 메모리 셀이 N개의 행과 M개의 열로 배열되어 있는 메모리 셀 어레이와 필요한 경우 각 메모리 셀의 논리상태를 반전시키고 관리할 수 있는 수단을 구비하고 있는 메모리를 제공하며, 메모리 셀 어레이를 구성하는 복수개의 메모리 셀의 영역을 가능한 범위 내에서 임의의 크기와 모양을 가지는 블록영역으로 세분하는 제 1과정과, 제 1과정을 통해 세분되어진 각 블록 영역에서 소비되는 전력량을 해당 블록의 논리반전으로 줄일 수 있는가를 정적 또는 동적으로 판단하고 필요에 따라 반전 저장 및 관리하는 제 2과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 및 운용 방법에 관한 것이다. | - |
dc.title | 저전력 메모리 구현을 위한 적응 데이터 반전 저장 방법 | - |
dc.title.alternative | Conforming structure and operating method of inverted data store for low power memory | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 경종민 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 장유성 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1999-0033364 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0326940-0000 | - |
dc.date.application | 1999-08-13 | - |
dc.date.registration | 2002-02-20 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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