화학기상증착반응기용다구역샤워헤드

Abstract

본 발명은 화학기상증착 반응기용 다구역 샤워헤드에 관한 것이다.좀 더 구체적으로, 본 발명은 화학기상증착시 웨이퍼에 박막을 균일하게 증착시킬 수 있으며 증착 반응물질의 사용량을 대폭적으로 줄일 수 있는 화학기상증착 반응기용 다구역 샤워헤드에 관한 것이다. 본 발명의 다구역 샤워헤드는 반도체 소자 제조시 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 반응기의 샤워헤드에 있어서, 화학기상증착 반응기로 유입되는 가스의 농도와 속도분포를 조절하기 위하여, 샤워헤드가 가스의 성분, 성분비 및 유량을 독립적으로 조절할 수 있는 2이상의 구역으로 분할되어 구성된 것을 특징으로 한다. 바람직하게는, 본 발명의 다구역 샤워헤드는 반도체 소자 제조시 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 반응기의 샤워헤드에 있어서, 일정한 반경(r1)을 지닌 원형으로 형성되며 수송가스와 반응가스를 혼합하여 혼합된 가스를 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제1헤드구역(11); 및, 전기한 제1헤드구역(11); 및, 전기한 제1 헤드구역(11)의 반경(r1)보다 더 큰 반경(r2)을 지닌 환형으로 형성되며 수송가스 만을 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제2 헤드구역(12)으로 샤워헤드가 분할되어 구성된 것을 특징으로 한다.