화학기상증착반응기용다구역샤워헤드Shower head for CVD reactor
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김도현 | ko |
| dc.contributor.author | 정원영 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-22T02:03:20Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-22T02:03:20Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300450 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 화학기상증착 반응기용 다구역 샤워헤드에 관한 것이다.좀 더 구체적으로, 본 발명은 화학기상증착시 웨이퍼에 박막을 균일하게 증착시킬 수 있으며 증착 반응물질의 사용량을 대폭적으로 줄일 수 있는 화학기상증착 반응기용 다구역 샤워헤드에 관한 것이다. 본 발명의 다구역 샤워헤드는 반도체 소자 제조시 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 반응기의 샤워헤드에 있어서, 화학기상증착 반응기로 유입되는 가스의 농도와 속도분포를 조절하기 위하여, 샤워헤드가 가스의 성분, 성분비 및 유량을 독립적으로 조절할 수 있는 2이상의 구역으로 분할되어 구성된 것을 특징으로 한다. 바람직하게는, 본 발명의 다구역 샤워헤드는 반도체 소자 제조시 웨이퍼 상에 박막을 증착하는 화학기상증착 반응기의 샤워헤드에 있어서, 일정한 반경(r1)을 지닌 원형으로 형성되며 수송가스와 반응가스를 혼합하여 혼합된 가스를 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제1헤드구역(11); 및, 전기한 제1헤드구역(11); 및, 전기한 제1 헤드구역(11)의 반경(r1)보다 더 큰 반경(r2)을 지닌 환형으로 형성되며 수송가스 만을 화학기상증착 반응기로 유입시키기 위한 제2 헤드구역(12)으로 샤워헤드가 분할되어 구성된 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 화학기상증착반응기용다구역샤워헤드 | - |
| dc.title.alternative | Shower head for CVD reactor | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김도현 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정원영 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1995-0019207 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0190909-0000 | - |
| dc.date.application | 1995-07-01 | - |
| dc.date.registration | 1999-01-21 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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