본 발명은 비휘발성 기억소자를 이용하여 정적 기억소자에 비휘발성 특성을 부여한 비휘발성 정적 기억소자에 관한 것으로서, 특히 비휘발성 기억소자를 정적 기억소자의 두 기억단에 연결하여, 비휘발성 기억소자의 부유 게이트(14)에 저장된 전하에 따른 문턱전압의 차이에 의해 발생하는 정적 기억소자의 두 기억단의 정전 용량 차이를 이용하여 정보를 비휘발성으로 저장하고 재생하며, 비휘발성 기억소자의 붕소 주입층(12)을 정적 기억소자의 로드 소자(17)와 공유함으로써 일반적인 정적 기억소자의 제조공정과 호환성이 있어서 그 적용이 용이하고, 정적 기억소자의 비휘발성 특성의 추가에 필요한 면적을 최소화할 수 있는 비휘발성 정적 기억소자에 관한 것이다.