비휘발성 정적 기억소자NONVOLATILE SRAM
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 허성회 | ko |
| dc.contributor.author | 한철희 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-11-21T09:02:22Z | - |
| dc.date.available | 2022-11-21T09:02:22Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/300362 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 비휘발성 기억소자를 이용하여 정적 기억소자에 비휘발성 특성을 부여한 비휘발성 정적 기억소자에 관한 것으로서, 특히 비휘발성 기억소자를 정적 기억소자의 두 기억단에 연결하여, 비휘발성 기억소자의 부유 게이트(14)에 저장된 전하에 따른 문턱전압의 차이에 의해 발생하는 정적 기억소자의 두 기억단의 정전 용량 차이를 이용하여 정보를 비휘발성으로 저장하고 재생하며, 비휘발성 기억소자의 붕소 주입층(12)을 정적 기억소자의 로드 소자(17)와 공유함으로써 일반적인 정적 기억소자의 제조공정과 호환성이 있어서 그 적용이 용이하고, 정적 기억소자의 비휘발성 특성의 추가에 필요한 면적을 최소화할 수 있는 비휘발성 정적 기억소자에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 비휘발성 정적 기억소자 | - |
| dc.title.alternative | NONVOLATILE SRAM | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 한철희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 허성회 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-1997-0066889 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0260281-0000 | - |
| dc.date.application | 1997-12-09 | - |
| dc.date.registration | 2000-04-04 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- RIMS Patents
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.