에스오아이 기판 및 그 제조방법SOI wafer and fabricating method of the same
본 발명의 일측면에 따르면, 반도체 기판을 식각하여 소정 두께를 가지는 활성층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 측벽 상에 식각방지층을 형성하는 단계; 상기 활성층의 인접영역 및 상기 활성층의 하부영역을 식각하여 상기 활성층 하부에 소정의 두께를 가지는 잔류층으로 서로 분리되는 함몰영역을 형성하는 단계; 및 상기 잔류층을 산화시켜 분리산화막을 형성하는 단계를 포함하는 SOI 기판 형성방법이 제공된다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2010-12-07
- Application Number
- 10-2010-0123970
- Registration Date
- 2012-08-02
- Registration Number
- 10-1172436-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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