半導体素子及び半導体論理素子

Abstract

【課題】高い情報保存速度、情報認識速度、及び情報転送速度、並びに低いエネルギー消費を特徴とする半導体素子を提供する 【解決手段】スピン軌道トルク(SOT:Spin Orbit Torque)効果に基づく半導体素子1000は、第1電極1100並びに第1電極1100に接続された第1セル1210及び第2セル1220を含む。第1セル1210及び第2セル1220は、それぞれ、第1電極1100上に配置され、絶縁層1212、1222を間に置いて自由磁性層1211、1221と固定磁性層1213、1223が配置された磁気トンネル接合(MTJ)を含み、第1電極1100の面内に印加された電流が各セルの臨界電流値を超える場合は、それぞれの自由磁性層1211、1221の磁化方向が変更される。第1セル1210及び第2セル1220の臨界電流値は互いに異なる。 【選択図】図1