半導体素子及び半導体論理素子Semiconductor Device
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박병국 | ko |
| dc.contributor.author | 백승헌 | ko |
| dc.contributor.author | 박경웅 | ko |
| dc.date.accessioned | 2022-09-05T08:00:16Z | - |
| dc.date.available | 2022-09-05T08:00:16Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/298337 | - |
| dc.description.abstract | 【課題】高い情報保存速度、情報認識速度、及び情報転送速度、並びに低いエネルギー消費を特徴とする半導体素子を提供する 【解決手段】スピン軌道トルク(SOT:Spin Orbit Torque)効果に基づく半導体素子1000は、第1電極1100並びに第1電極1100に接続された第1セル1210及び第2セル1220を含む。第1セル1210及び第2セル1220は、それぞれ、第1電極1100上に配置され、絶縁層1212、1222を間に置いて自由磁性層1211、1221と固定磁性層1213、1223が配置された磁気トンネル接合(MTJ)を含み、第1電極1100の面内に印加された電流が各セルの臨界電流値を超える場合は、それぞれの自由磁性層1211、1221の磁化方向が変更される。第1セル1210及び第2セル1220の臨界電流値は互いに異なる。 【選択図】図1 | - |
| dc.title | 半導体素子及び半導体論理素子 | - |
| dc.title.alternative | Semiconductor Device | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박병국 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박경웅 | - |
| dc.contributor.assignee | KAIST | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 2017-203154 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 7084121 | - |
| dc.date.application | 2017-10-20 | - |
| dc.date.registration | 2022-06-06 | - |
| dc.publisher.country | JA | - |
- Appears in Collection
- MS-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.