온도 보상형 저항성 메모리 장치

Abstract

본 발명은 오보닉 문턱 스위치와 상이한 비교 전압을 이용하여 온도에 따른 독출 데이터의 오류를 최소화할 수 있는 온도 보상형 저항성 메모리 장치를 제공한다. 본 발명에 따르면, 온도 보상형 저항성 메모리 장치는, 다수의 저항성 메모리 셀 - 상기 저항성 메모리 셀은 칼코게나이드 물질 또는 오보닉 물질을 포함함 - 이 배치된 저항성 메모리 셀 어레이; 다수의 상이한 독출용 비교 전압을 출력하도록 구성된 분압 저항부; 외부로부터 인가되는 스위칭 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압이나 하기 먹스를 통해 출력되는 독출용 기준 전압을 상기 다수의 저항성 메모리 셀 중 적어도 일부에 출력하는 스위칭부; 상기 독출용 비교 전압에 의해 생성되는 독출용 비교 전류와 독출용 기준 전류를 비교하여 출력하는 센스 앰프 유닛; 상기 센스 앰프 유닛으로부터 출력되는 데이터를 저장 및 출력하는 출력 데이터 저장부; 상기 출력 데이터 저장부로부터 출력되는 데이터를 이용하여 상기 독출용 기준 전압을 계산하는 평균 전압 계산부; 및 상기 평균 전압 계산부로부터 출력되는 신호에 제어되어 상기 다수의 상이한 독출용 비교 전압 중 어느 하나를 선택하는 먹스를 포함한다.