다전극 전자 여기를 통한 나노 소자의 비평형 전자구조 시뮬레이션 방법 및 그 장치

Abstract

다전자 전자 여기를 통한 나노 소자의 비평형 전자구조 시뮬레이션 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 소자의 비평형 전자구조 시뮬레이션 방법은 제1 원리(first principle) 및 상위 근사 계산 방법에 대한 정보와 나노 소자의 원자 구조에 대한 정보를 기반으로 상기 나노 소자의 채널, 제1 전극 및 제2 전극 각각의 영역 정보 및 인가 전압 정보를 수신하는 단계; 상기 제1 원리 및 상위 근사 계산 방법을 통해 생성된 파동함수들을 공간 분포에 기초하여 상기 나노 소자의 채널, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 영역으로 분류하는 단계; 상기 분류된 영역 정보와 상기 인가 전압 정보에 기초하여 상기 채널, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 전기화학포텐셜에 따른 페르미-디락 분포 함수를 생성하는 단계; 상기 채널, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 영역 정보에 해당하는 페르미-디락 분포 함수 및 상기 분류된 각 영역의 파동 함수들을 이용하여 상기 나노 소자의 비평형 전자 밀도를 계산하는 단계; 및 상기 계산된 비평형 전자 밀도에 기초하여 상기 나노 소자의 비평형 전자 구조 정보를 획득하는 단계를 포함한다.