다전극 전자 여기를 통한 나노 소자의 비평형 전자구조 시뮬레이션 방법 및 그 장치Multi-electrode electron excitation based simulation method for non-equilibrium electronic structures of nanodevices and apparatus therefore
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 김용훈 | ko |
| dc.contributor.author | 김한슬 | ko |
| dc.contributor.author | 이주호 | ko |
| dc.date.accessioned | 2021-08-03T06:50:15Z | - |
| dc.date.available | 2021-08-03T06:50:15Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/287000 | - |
| dc.description.abstract | 다전자 전자 여기를 통한 나노 소자의 비평형 전자구조 시뮬레이션 방법 및 그 장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 소자의 비평형 전자구조 시뮬레이션 방법은 제1 원리(first principle) 및 상위 근사 계산 방법에 대한 정보와 나노 소자의 원자 구조에 대한 정보를 기반으로 상기 나노 소자의 채널, 제1 전극 및 제2 전극 각각의 영역 정보 및 인가 전압 정보를 수신하는 단계; 상기 제1 원리 및 상위 근사 계산 방법을 통해 생성된 파동함수들을 공간 분포에 기초하여 상기 나노 소자의 채널, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 영역으로 분류하는 단계; 상기 분류된 영역 정보와 상기 인가 전압 정보에 기초하여 상기 채널, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 전기화학포텐셜에 따른 페르미-디락 분포 함수를 생성하는 단계; 상기 채널, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각의 영역 정보에 해당하는 페르미-디락 분포 함수 및 상기 분류된 각 영역의 파동 함수들을 이용하여 상기 나노 소자의 비평형 전자 밀도를 계산하는 단계; 및 상기 계산된 비평형 전자 밀도에 기초하여 상기 나노 소자의 비평형 전자 구조 정보를 획득하는 단계를 포함한다. | - |
| dc.title | 다전극 전자 여기를 통한 나노 소자의 비평형 전자구조 시뮬레이션 방법 및 그 장치 | - |
| dc.title.alternative | Multi-electrode electron excitation based simulation method for non-equilibrium electronic structures of nanodevices and apparatus therefore | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김용훈 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이주호 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0065904 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2283109-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-06-04 | - |
| dc.date.registration | 2021-07-23 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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