컨트롤러, 반도체 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법CONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF
하드 리드 전압으로 반도체 메모리 장치로부터 리드되는 코드워드에 대한 제1 ECC 디코딩이 실패한 경우에, 상기 제1 ECC 디코딩의 결과에 대응하는 최적화 정보를 생성하는 단계; 상기 최적화 정보로 결정되는 양자화 간격을 하나 이상 생성하는 단계; 및 상기 양자화 간격과 상기 하드 리드 전압으로 결정되는 소프트 리드 전압으로 상기 반도체 메모리 장치로부터 리드되는 코드워드에 대한 제2 ECC 디코딩을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 최적화 정보는 메모리 블록의 열화 정보; ECC 디코더의 파라미터 정보; 및 구성 부호 파라미터 정보인 컨트롤러의 동작 방법이 개시된다.
- Assignee
- 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2017-05-26
- Application Number
- 10-2017-0064981
- Registration Date
- 2021-05-21
- Registration Number
- 10-2257050-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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