DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 하정석 | ko |
dc.contributor.author | 정수황 | ko |
dc.contributor.author | 김대성 | ko |
dc.date.accessioned | 2021-06-03T06:50:16Z | - |
dc.date.available | 2021-06-03T06:50:16Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/285520 | - |
dc.description.abstract | 하드 리드 전압으로 반도체 메모리 장치로부터 리드되는 코드워드에 대한 제1 ECC 디코딩이 실패한 경우에, 상기 제1 ECC 디코딩의 결과에 대응하는 최적화 정보를 생성하는 단계; 상기 최적화 정보로 결정되는 양자화 간격을 하나 이상 생성하는 단계; 및 상기 양자화 간격과 상기 하드 리드 전압으로 결정되는 소프트 리드 전압으로 상기 반도체 메모리 장치로부터 리드되는 코드워드에 대한 제2 ECC 디코딩을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 최적화 정보는 메모리 블록의 열화 정보; ECC 디코더의 파라미터 정보; 및 구성 부호 파라미터 정보인 컨트롤러의 동작 방법이 개시된다. | - |
dc.title | 컨트롤러, 반도체 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법 | - |
dc.title.alternative | CONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.localauthor | 하정석 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 정수황 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 김대성 | - |
dc.contributor.assignee | 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0064981 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2257050-0000 | - |
dc.date.application | 2017-05-26 | - |
dc.date.registration | 2021-05-21 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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