컨트롤러, 반도체 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법CONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

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dc.contributor.author하정석ko
dc.contributor.author정수황ko
dc.contributor.author김대성ko
dc.date.accessioned2021-06-03T06:50:16Z-
dc.date.available2021-06-03T06:50:16Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/285520-
dc.description.abstract하드 리드 전압으로 반도체 메모리 장치로부터 리드되는 코드워드에 대한 제1 ECC 디코딩이 실패한 경우에, 상기 제1 ECC 디코딩의 결과에 대응하는 최적화 정보를 생성하는 단계; 상기 최적화 정보로 결정되는 양자화 간격을 하나 이상 생성하는 단계; 및 상기 양자화 간격과 상기 하드 리드 전압으로 결정되는 소프트 리드 전압으로 상기 반도체 메모리 장치로부터 리드되는 코드워드에 대한 제2 ECC 디코딩을 수행하는 단계를 포함하고, 상기 최적화 정보는 메모리 블록의 열화 정보; ECC 디코더의 파라미터 정보; 및 구성 부호 파라미터 정보인 컨트롤러의 동작 방법이 개시된다.-
dc.title컨트롤러, 반도체 메모리 시스템 및 그것의 동작 방법-
dc.title.alternativeCONTROLLER, SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor하정석-
dc.contributor.nonIdAuthor정수황-
dc.contributor.nonIdAuthor김대성-
dc.contributor.assignee에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2017-0064981-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2257050-0000-
dc.date.application2017-05-26-
dc.date.registration2021-05-21-
dc.publisher.countryKO-
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EE-Patent(특허)
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