DC Field | Value | Language |
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dc.contributor.author | 나노종합기술원 | ko |
dc.contributor.author | 이기성 | ko |
dc.contributor.author | 박남수 | ko |
dc.contributor.author | 황해철 | ko |
dc.contributor.author | 강희오 | ko |
dc.contributor.author | 서창호 | ko |
dc.date.accessioned | 2021-02-03T07:10:34Z | - |
dc.date.available | 2021-02-03T07:10:34Z | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/280495 | - |
dc.description.abstract | 본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법은 KOH 용액을 이용하여, 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판 상에 형성된 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 구비하는 구조체 중에서 상기 실리콘 기판의 적어도 일부를, 습식각하는 단계; 습식각된 상기 구조체를 탈이온수(DIW)에 침지하여 세정(rinse)하는 단계; 상기 탈이온수의 표면에 이소프로필알콜(IPA)층을 형성하는 단계; 및 상기 구조체를 상기 이소프로필알콜층을 거치면서 상기 탈이온수로부터 분리함으로써, 상기 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 건조시키는 단계;를 포함한다. | - |
dc.title | EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법 및 장치 | - |
dc.title.alternative | Method of fabricating EUV lithography pellicle film and apparatus of fabricating the same | - |
dc.type | Patent | - |
dc.type.rims | PAT | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 이기성 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 박남수 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 황해철 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 강희오 | - |
dc.contributor.nonIdAuthor | 서창호 | - |
dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0020656 | - |
dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2209291-0000 | - |
dc.date.application | 2019-02-21 | - |
dc.date.registration | 2021-01-25 | - |
dc.publisher.country | KO | - |
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