본 발명의 일 실시예에 의한 EUV 리소그래피 펠리클 박막의 제조 방법은 KOH 용액을 이용하여, 실리콘 기판 및 상기 실리콘 기판 상에 형성된 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 구비하는 구조체 중에서 상기 실리콘 기판의 적어도 일부를, 습식각하는 단계; 습식각된 상기 구조체를 탈이온수(DIW)에 침지하여 세정(rinse)하는 단계; 상기 탈이온수의 표면에 이소프로필알콜(IPA)층을 형성하는 단계; 및 상기 구조체를 상기 이소프로필알콜층을 거치면서 상기 탈이온수로부터 분리함으로써, 상기 실리콘 나이트라이드 멤브레인 박막을 건조시키는 단계;를 포함한다.