상온에서 전기적으로만 작동하는 그래핀 스핀 트랜지스터Graphene Spin Transistor for All-electrical Operation at Room Temperature
본 발명은 상온에서 전기적으로만 작동하는 그래핀 스핀 트랜지스터에 관한 것으로서, 본 발명의 그래핀 스핀 트랜지스터는, CMOS 트랜지스터를 대체하고, Moore 법칙을 연장할 수 있도록, 그래핀에서의 Rashba Edelstein 효과 혹은 TMDC(Transition Metal Dichalcogenide, 전이금속 디칼코게나이드) 물질의 스핀홀 효과를 활용한 all-electrical (자기장 혹은 강자성 전극이 필요없는) 상온 그래핀 spin FET (Field Effect Transistor)를 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2019-07-30
- Application Number
- 10-2019-0092388
- Registration Date
- 2020-04-16
- Registration Number
- 10-2103507-0000
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
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