상온에서 전기적으로만 작동하는 그래핀 스핀 트랜지스터Graphene Spin Transistor for All-electrical Operation at Room Temperature
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조성재 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-12-04T07:30:34Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-04T07:30:34Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/278088 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 상온에서 전기적으로만 작동하는 그래핀 스핀 트랜지스터에 관한 것으로서, 본 발명의 그래핀 스핀 트랜지스터는, CMOS 트랜지스터를 대체하고, Moore 법칙을 연장할 수 있도록, 그래핀에서의 Rashba Edelstein 효과 혹은 TMDC(Transition Metal Dichalcogenide, 전이금속 디칼코게나이드) 물질의 스핀홀 효과를 활용한 all-electrical (자기장 혹은 강자성 전극이 필요없는) 상온 그래핀 spin FET (Field Effect Transistor)를 제공한다. | - |
| dc.title | 상온에서 전기적으로만 작동하는 그래핀 스핀 트랜지스터 | - |
| dc.title.alternative | Graphene Spin Transistor for All-electrical Operation at Room Temperature | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조성재 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0092388 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2103507-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-07-30 | - |
| dc.date.registration | 2020-04-16 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
- Appears in Collection
- PH-Patent(특허)
- Files in This Item
- There are no files associated with this item.
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.