낮은 유전손실을 갖는 유전체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유전체Method for preparing dielectric having low dielectric loss and dielectric prepared thereby
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 정성윤 | ko |
| dc.contributor.author | 안지상 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-12-04T05:50:35Z | - |
| dc.date.available | 2020-12-04T05:50:35Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/278071 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 온도에 의한 유전 특성의 변동이 좁고, 주파수에 따른 유전특성이 불변하여, 낮은 유전손실을 갖는 저유전손실의 주파수 불변의 유전체를 제조할 수 있는 유전체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유전체에 관한 것이다. | - |
| dc.title | 낮은 유전손실을 갖는 유전체의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유전체 | - |
| dc.title.alternative | Method for preparing dielectric having low dielectric loss and dielectric prepared thereby | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 정성윤 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 안지상 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2019-0030486 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2184931-0000 | - |
| dc.date.application | 2019-03-18 | - |
| dc.date.registration | 2020-11-25 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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