표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법Methods of fabricating surface-stress released crystalline SiC thin film structure
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 나노종합기술원 | ko |
| dc.contributor.author | 강일석 | ko |
| dc.contributor.author | 유권재 | ko |
| dc.contributor.author | 김희연 | ko |
| dc.contributor.author | 최경근 | ko |
| dc.contributor.author | 정종완 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-09-18T04:24:52Z | - |
| dc.date.available | 2020-09-18T04:24:52Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/276251 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 기판 상에 에피택셜 공정이 아니라 증착 공정을 이용하여 형성하되, 각각 이격되어 나누어진 분할영역마다 비정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 1 단계; 및 상기 증착 공정의 공정온도 보다 상대적으로 높은 온도에서 상기 비정질의 탄화실리콘 박막을 가열하여 상기 분할영역마다 결정질의 탄화실리콘 박막을 형성하는 제 2 단계;를 포함하는, 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법을 제공한다. | - |
| dc.title | 표면 스트레스가 완화된 결정질의 탄화실리콘 박막 구조체 제조방법 | - |
| dc.title.alternative | Methods of fabricating surface-stress released crystalline SiC thin film structure | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 강일석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 유권재 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김희연 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최경근 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 정종완 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,포항공과대학교 산학협력단,세종대학교산학협력단 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0083021 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2156349-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-07-17 | - |
| dc.date.registration | 2020-09-09 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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- RIMS Patents
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