iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법DOPING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING iCVD PROCESS

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본 발명은 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 도핑원소 및 산소를 포함하며, 말단에 불포화기를 포함하는 도핑용 단량체 및 개시제를 기화된 상태로 주입하면서, 상기 개시제를 열분해하여 반도체 기판 상에 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다.
Assignee
한국과학기술원,램 리서치 코퍼레이션
Country
KO (South Korea)
Application Date
2018-12-13
Application Number
10-2018-0161327
Registration Date
2020-03-24
Registration Number
10-2094681-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/274515
Appears in Collection
EE-Patent(특허)CBE-Patent(특허)
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