iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법DOPING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING iCVD PROCESS
본 발명은 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 도핑원소 및 산소를 포함하며, 말단에 불포화기를 포함하는 도핑용 단량체 및 개시제를 기화된 상태로 주입하면서, 상기 개시제를 열분해하여 반도체 기판 상에 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다.
- Assignee
- 한국과학기술원,램 리서치 코퍼레이션
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2018-12-13
- Application Number
- 10-2018-0161327
- Registration Date
- 2020-03-24
- Registration Number
- 10-2094681-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)CBE-Patent(특허)
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