iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법DOPING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING iCVD PROCESS

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dc.contributor.author조병진ko
dc.contributor.author김재환ko
dc.contributor.author윤형석ko
dc.contributor.author김양수ko
dc.contributor.author임성갑ko
dc.contributor.author박관용ko
dc.contributor.author박홍근ko
dc.date.accessioned2020-06-03T11:22:41Z-
dc.date.available2020-06-03T11:22:41Z-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/274515-
dc.description.abstract본 발명은 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 도핑원소 및 산소를 포함하며, 말단에 불포화기를 포함하는 도핑용 단량체 및 개시제를 기화된 상태로 주입하면서, 상기 개시제를 열분해하여 반도체 기판 상에 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다.-
dc.titleiCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법-
dc.title.alternativeDOPING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING iCVD PROCESS-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor조병진-
dc.contributor.localauthor임성갑-
dc.contributor.nonIdAuthor김재환-
dc.contributor.nonIdAuthor윤형석-
dc.contributor.nonIdAuthor김양수-
dc.contributor.nonIdAuthor박관용-
dc.contributor.nonIdAuthor박홍근-
dc.contributor.assignee한국과학기술원,램 리서치 코퍼레이션-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2018-0161327-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-2094681-0000-
dc.date.application2018-12-13-
dc.date.registration2020-03-24-
dc.publisher.countryKO-
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