iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법DOPING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING iCVD PROCESS
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 조병진 | ko |
| dc.contributor.author | 김재환 | ko |
| dc.contributor.author | 윤형석 | ko |
| dc.contributor.author | 김양수 | ko |
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 박관용 | ko |
| dc.contributor.author | 박홍근 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-06-03T11:22:41Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-03T11:22:41Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/274515 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다. 더욱 구체적으로, 도핑원소 및 산소를 포함하며, 말단에 불포화기를 포함하는 도핑용 단량체 및 개시제를 기화된 상태로 주입하면서, 상기 개시제를 열분해하여 반도체 기판 상에 고분자 필름을 형성하는 단계를 포함하는 iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법에 관한 것이다. | - |
| dc.title | iCVD 공정을 이용한 반도체 구조체의 도핑방법 | - |
| dc.title.alternative | DOPING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING iCVD PROCESS | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 조병진 | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김재환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 윤형석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김양수 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박관용 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 박홍근 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원,램 리서치 코퍼레이션 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0161327 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2094681-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-12-13 | - |
| dc.date.registration | 2020-03-24 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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