저메늄 기반 수직형 게이트리스 및 커패시터리스 디램 셀 및 그 제조 방법THE VERTICAL-TYPE GATELESS AND CAPACITORLESS DRAM CELL BASED ON GERMANIUM AND THE METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

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저메늄을 기반으로 하여 메모리의 성능을 향상시킬 수 있는 수직형 2-단자 바이리스터 소자 및 제조 방법을 제공한다. 3-단자 소자와 비교할 때 게이트 및 커패시터가 없어서 고 집적이 가능하고 절연막 열화 현상을 해결할 수 있고, 저메늄 기판을 사용하여 저전압에서 작동할 수 있으며, 도핑 농도가 다른 반도체 층을 포함하고 있으므로 누설 전류가 흐르는 문제를 해결할 수 있다. 또한, 반도체 층에 비정질 탄소막을 증착함으로써 습식 식각 시에 반도체 층을 보호할 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Application Date
2018-01-05
Application Number
10-2018-0001459
Registration Date
2020-04-16
Registration Number
10-2103630-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/274507
Appears in Collection
EE-Patent(특허)
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