서브 챔버를 구비한 iCVD 시스템 및 방법INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM HAVING SUBCHAMBER AND THE METHOD THEREOF
본 발명은 개시제를 이용한 화학 기상 증착(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD) 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 기체 상태의 단량체(Monomer) 및 개시제(Initiator)를 혼합하는 혼합영역, 혼합된 단량체 및 개시제의 분포를 균일화하는 서브 챔버(Sub‐chamber), 및 고분자를 중합하는 iCVD 챔버(iCVD chamber)를 포함하여 기존 공정에 비해 기판(substrate)에 균일하게 흡착되는 iCVD 공정을 수행할 수 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2017-11-20
- Application Number
- 10-2017-0154402
- Registration Date
- 2020-05-11
- Registration Number
- 10-2111835-0000
- Appears in Collection
- CBE-Patent(특허)
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