서브 챔버를 구비한 iCVD 시스템 및 방법INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM HAVING SUBCHAMBER AND THE METHOD THEREOF
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 임성갑 | ko |
| dc.contributor.author | 최준환 | ko |
| dc.contributor.author | 이민석 | ko |
| dc.contributor.author | 문희연 | ko |
| dc.date.accessioned | 2020-06-03T11:20:58Z | - |
| dc.date.available | 2020-06-03T11:20:58Z | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/274476 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 개시제를 이용한 화학 기상 증착(Initiated Chemical Vapor Deposition, iCVD) 시스템 및 그 방법에 관한 것으로, 기체 상태의 단량체(Monomer) 및 개시제(Initiator)를 혼합하는 혼합영역, 혼합된 단량체 및 개시제의 분포를 균일화하는 서브 챔버(Sub‐chamber), 및 고분자를 중합하는 iCVD 챔버(iCVD chamber)를 포함하여 기존 공정에 비해 기판(substrate)에 균일하게 흡착되는 iCVD 공정을 수행할 수 있다. | - |
| dc.title | 서브 챔버를 구비한 iCVD 시스템 및 방법 | - |
| dc.title.alternative | INITIATED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM HAVING SUBCHAMBER AND THE METHOD THEREOF | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 임성갑 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 최준환 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이민석 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 문희연 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2017-0154402 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-2111835-0000 | - |
| dc.date.application | 2017-11-20 | - |
| dc.date.registration | 2020-05-11 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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