반도체 나노와이어의 제조방법 및 그를 이용한 반도체 나노와이어 센서의 제조방법Fabrication methods for nano wire structure of semiconductor and fabrication methods of sensor the same
반도체 나노와이어의 크기 또는 간격을 설정하는 단계; 기판 상에 제 1 박막 및 제 2 박막을 순차적으로 적층한 후 패터닝하여 중간구조체를 형성하되, 상기 제 1 박막의 측단부에 트렌치를 구비하도록 중간구조체를 형성하는 단계; 상기 기판의 노출된 영역에 상기 트렌치까지 메워지도록 반도체 물질을 성장시키는 단계; 및 상기 트렌치 내부를 제외한 영역에 성장된 반도체 물질을 식각하고 상기 제 2 박막을 제거함으로써 상기 트렌치에 대응되는 크기를 가지는 반도체 나노와이어 구조체가 형성되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 나노와이어 구조체의 제조방법 및 그를 이용한 반도체 나노와이어 센서의 제조방법을 제공한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Application Date
- 2018-07-03
- Application Number
- 10-2018-0076988
- Registration Date
- 2019-11-01
- Registration Number
- 10-2041830-0000
- Appears in Collection
- RIMS Patents
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