자기 메모리 소자Magnetic Memory Device

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본 발명은 자기 메모리 소자에 관한 것으로, 고정 자성층; 상기 고정자성층 상에 배치된 절연층; 상기 절연층 상에 배치된 자유 자성층; 상기 자유 자성층 상에 배치된 제2 비자성층; 및 상기 제2 비자성층 상에 배치된 제1 비자성층;을 포함하고, 상기 제2 비자성층은 주기율표 상에서 제3 내지 제5 주기 원소를 포함할 수 있다.
Assignee
한국과학기술원
Country
KO (South Korea)
Issue Date
2018-02-08
Application Date
2016-01-11
Application Number
10-2016-0003151
Registration Date
2018-02-08
Registration Number
10-1829452-0000
URI
http://hdl.handle.net/10203/256882
Appears in Collection
MS-Patent(특허)
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