자기 메모리 소자Magnetic Memory Device
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 박병국 | ko |
| dc.contributor.author | 이해연 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T17:53:45Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T17:53:45Z | - |
| dc.date.issued | 2018-02-08 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/256882 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 자기 메모리 소자에 관한 것으로, 고정 자성층; 상기 고정자성층 상에 배치된 절연층; 상기 절연층 상에 배치된 자유 자성층; 상기 자유 자성층 상에 배치된 제2 비자성층; 및 상기 제2 비자성층 상에 배치된 제1 비자성층;을 포함하고, 상기 제2 비자성층은 주기율표 상에서 제3 내지 제5 주기 원소를 포함할 수 있다. | - |
| dc.title | 자기 메모리 소자 | - |
| dc.title.alternative | Magnetic Memory Device | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 박병국 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 이해연 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2016-0003151 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1829452-0000 | - |
| dc.date.application | 2016-01-11 | - |
| dc.date.registration | 2018-02-08 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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