단결정 실리콘 박막, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 전자소자Single Crystalline Si Film, Method for Manufacturing the Same, and Electronic Device Including the Same
본 발명은 단결정 실리콘 박막에 관한 것으로, 상세하게, 본 발명에 따른 단결정 실리콘 박막은 하기 관계식 1을 만족하며 8nm 이하의 두께를 갖는다. (관계식 1) 관계식 1에서, dbulk(110)는 벌크 단결정 실리콘의 (110) 면간 거리이며, dsl(110)은 단결정 실리콘 박막의 (110) 면간 거리
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2018-12-19
- Application Date
- 2017-04-19
- Application Number
- 10-2017-0050278
- Registration Date
- 2018-12-19
- Registration Number
- 10-1932757-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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