무접합 수직 게이트 트랜지스터를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JUNCTIONLESS VERTICAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
무접합 수직 게이트 트랜지스터를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 기판에 수직으로 돌출되며, 하부로부터 제1 불순물 영역, 제2 불순물 영역 및 제3 불순물 영역을 포함하는 활성 기둥; 상기 제2 불순물 영역의 측벽에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 교차하며, 상기 제1 불순물 영역과 접촉하는 비트라인;을 포함하며, 상기 제1 내지 제3 불순물 영역은 동일한 극성의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
- Assignee
- 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2019-02-13
- Application Date
- 2018-08-23
- Application Number
- 10-2018-0098672
- Registration Date
- 2019-02-13
- Registration Number
- 10-1950146-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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