무접합 수직 게이트 트랜지스터를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JUNCTIONLESS VERTICAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
| DC Field | Value | Language |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | 이석희 | ko |
| dc.contributor.author | 문정민 | ko |
| dc.contributor.author | 김태균 | ko |
| dc.date.accessioned | 2019-04-15T14:18:08Z | - |
| dc.date.available | 2019-04-15T14:18:08Z | - |
| dc.date.issued | 2019-02-13 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/254058 | - |
| dc.description.abstract | 무접합 수직 게이트 트랜지스터를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 기판에 수직으로 돌출되며, 하부로부터 제1 불순물 영역, 제2 불순물 영역 및 제3 불순물 영역을 포함하는 활성 기둥; 상기 제2 불순물 영역의 측벽에 형성된 게이트 전극; 및 상기 게이트 전극과 교차하며, 상기 제1 불순물 영역과 접촉하는 비트라인;을 포함하며, 상기 제1 내지 제3 불순물 영역은 동일한 극성의 불순물을 포함하는 것을 특징으로 한다. | - |
| dc.title | 무접합 수직 게이트 트랜지스터를 갖는 반도체 소자 및 그 제조 방법 | - |
| dc.title.alternative | SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING JUNCTIONLESS VERTICAL GATE TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 이석희 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 문정민 | - |
| dc.contributor.nonIdAuthor | 김태균 | - |
| dc.contributor.assignee | 에스케이하이닉스 주식회사,한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2018-0098672 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-1950146-0000 | - |
| dc.date.application | 2018-08-23 | - |
| dc.date.registration | 2019-02-13 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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