실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자 및 제조방법Lateral Field Emission Device and its Manufacturing Method Using Silicon Orientation Anisotropic Etch
본 발명은 수평형 전계 방출 소자에 관한 것이며, 보다 상세하게는 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자 및 제조방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 이용한 전계 방출 소자의 제조방법은, 비등방성 식각을 이용한 수평형 전계 방출소자의 제조방법에 있어서, 실리콘 기판, 하부절연막, 실리콘 및 하드 마스크를 순차적으로 형성하는 단계, 하드 마스크를 소정의 폭을 갖도록 패터닝하고, 소정 두께의 실리콘의 오리엔테이션에 따른 비등방성 식각을 하는 단계, 하부 절연막의 식각을 통하여 실리콘을 하부 절연막과 분리시키는 단계 및 실리콘을 전극으로 사용하기 위하여 도핑하는 단계를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2006-07-24
- Application Date
- 2004-10-11
- Application Number
- 10-2004-0081137
- Registration Date
- 2006-07-24
- Registration Number
- 10-0607044-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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