커패시터리스 디램, 그 쓰기방법 및 읽기방법

Abstract

본 발명은 커패시터리스 디램에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 기생 바이폴라 트랜지스터 성분을 갖는 커패시터리스 디램과 그 쓰기방법 및 읽기방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 커패시터리스 디램은 기판상에 형성된 홀 장벽층, 홀 장벽층상에 형성된 부유 바디셀, 홀 장벽층상에 형성되되 부유 바디셀 양측에 각각 형성된 소오스 및 드레인, 부유 바디셀상에 형성된 게이트 절연층, 게이트 절연층상에 형성된 게이트를 포함하며, 소오스 및 드레인은 부유 바디셀보다 큰 에너지 밴드갭을 갖는 물질로 형성된 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 커패시터리스 디램에 있어서 기존보다 낮은 드레인 전압에서도 기생 바이폴라 트랜지스터의 항복 효과를 이용하여 안정적인 쓰기 동작과 읽기 동작이 가능하며, 동시에 큰 센싱 마진을 얻을 수 있는 효과가 있다. 커패시터리스 디램(capacitor-less DRAM), 기생 바이폴라 트랜지스터, 애벌런치 항복(avalanche breakdown), 에너지 밴드갭