신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 단량체, 이들의중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 그 제조방법과포토레지스트 패턴의 형성 방법

Abstract

본 발명은 포토레지스트 단량체인 하기 구조식 (I) 또는 (II)로 표시되는 신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체, 메타크릴레이트 단량체 및 이들의 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 그 제조 방법과 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 구조식 (I) 구조식 (II) 본 발명에 따른 신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체 및 메타크릴레이트 단량체를 이용하여 형성된 중합체는 기존의 포토레지스트의 매트릭스 중합체로 사용되는 것들과는 달리 광산에 의해 화학증폭형으로 개환반응 (ring-opening)을 일으켜 질량의 변화없이 카르복시산을 발생시킨다. 또한 본 발명의 포토레지스트 중합체는 에칭내성, 내열성 및 접착성이 우수할 뿐만 아니라 범용 현상액인 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (TMAH) 수용액에도 현상이 가능하여 고집적 반도체 소자의 미세회로를 제조할 때 원자외선 영역의 광원, 특히 ArF (193nm) 광원을 이용한 리소그래피 공정에 매우 유용하게 사용될 수 있다.