신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 단량체, 이들의중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 그 제조방법과포토레지스트 패턴의 형성 방법(Noble Monomers, Polymers and Photoresist Materialswith 7,7-Dimethyloxepan-2-one Group and Method forPatterning)
| DC Field | Value | Language |
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| dc.contributor.author | 김진백 | ko |
| dc.date.accessioned | 2017-12-20T12:47:45Z | - |
| dc.date.available | 2017-12-20T12:47:45Z | - |
| dc.date.issued | 2005-11-02 | - |
| dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/10203/236473 | - |
| dc.description.abstract | 본 발명은 포토레지스트 단량체인 하기 구조식 (I) 또는 (II)로 표시되는 신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체, 메타크릴레이트 단량체 및 이들의 중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 그 제조 방법과 포토레지스트 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 구조식 (I) 구조식 (II) 본 발명에 따른 신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 노르보넨 단량체, 아크릴레이트 단량체 및 메타크릴레이트 단량체를 이용하여 형성된 중합체는 기존의 포토레지스트의 매트릭스 중합체로 사용되는 것들과는 달리 광산에 의해 화학증폭형으로 개환반응 (ring-opening)을 일으켜 질량의 변화없이 카르복시산을 발생시킨다. 또한 본 발명의 포토레지스트 중합체는 에칭내성, 내열성 및 접착성이 우수할 뿐만 아니라 범용 현상액인 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (TMAH) 수용액에도 현상이 가능하여 고집적 반도체 소자의 미세회로를 제조할 때 원자외선 영역의 광원, 특히 ArF (193nm) 광원을 이용한 리소그래피 공정에 매우 유용하게 사용될 수 있다. | - |
| dc.title | 신규한 옥세판-2-온 구조를 함유하는 단량체, 이들의중합체를 함유하는 포토레지스트 조성물 및 그 제조방법과포토레지스트 패턴의 형성 방법 | - |
| dc.title.alternative | (Noble Monomers, Polymers and Photoresist Materialswith 7,7-Dimethyloxepan-2-one Group and Method forPatterning) | - |
| dc.type | Patent | - |
| dc.type.rims | PAT | - |
| dc.contributor.localauthor | 김진백 | - |
| dc.contributor.assignee | 한국과학기술원 | - |
| dc.identifier.iprsType | 특허 | - |
| dc.identifier.patentApplicationNumber | 10-2003-0058525 | - |
| dc.identifier.patentRegistrationNumber | 10-0527411-0000 | - |
| dc.date.application | 2003-08-23 | - |
| dc.date.registration | 2005-11-02 | - |
| dc.publisher.country | KO | - |
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