무전해도금을 이용한 적층 칩의 접합 방법Bonding Method Of Stack Chip Using Electroless Plating

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dc.contributor.author유중돈ko
dc.date.accessioned2017-12-20T11:51:52Z-
dc.date.available2017-12-20T11:51:52Z-
dc.date.issued2012-06-15-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/10203/234889-
dc.description.abstract이 발명은 무전해도금 공정을 이용하여 TSV(Through-Silicon Via)가 가공된 복수의 칩이 적층된 적층 칩을 접합하는 방법에 관한 것으로서, 복수의 칩을 정렬한 상태에서 무전해도금 공정을 이용하여 TSV 주위를 도금하여 금속 접합부를 형성함으로써, 복수의 칩을 서로 접합한다. 이 발명은 무전해도금 공정을 이용하여 적층 칩의 크기와 TSV의 개수에 무관하게 TSV 주위에 균일한 도금층을 형성할 수 있는 장점이 있다. 또한, 이 발명은 무전해도금 공정의 온도가 낮고 비정질의 도금층이 형성되어 잔류응력과 변형이 발생하지 않으므로 신뢰성이 높은 접합부를 형성할 수 있고, 무전해도금으로 금속 접합부를 형성하므로 전기 전도도와 접합 강도가 우수한 장점이 있다.-
dc.title무전해도금을 이용한 적층 칩의 접합 방법-
dc.title.alternativeBonding Method Of Stack Chip Using Electroless Plating-
dc.typePatent-
dc.type.rimsPAT-
dc.contributor.localauthor유중돈-
dc.contributor.assignee한국과학기술원-
dc.identifier.iprsType특허-
dc.identifier.patentApplicationNumber10-2010-0068281-
dc.identifier.patentRegistrationNumber10-1158730-0000-
dc.date.application2010-07-15-
dc.date.registration2012-06-15-
dc.publisher.countryKO-
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ME-Patent(특허)
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