전기도금을 이용한 적층 칩의 접합 방법Bonding Method Of Stack Chip Using Electroplating
이 발명은 전기도금 공정을 이용하여 TSV(Through-Silicon Via)가 가공된 복수의 칩이 적층된 적층 칩을 접합하는 방법에 관한 것으로서, 복수의 칩을 정렬한 상태에서 전기도금 공정을 이용하여 TSV 주위를 도금하여 금속 접합부를 형성함으로써, 복수의 칩을 서로 접합한다. 이 발명은 전기도금을 이용하여 TSV가 형성된 적층 칩의 금속 범프를 동시에 접합할 수 있으므로 가공 공정이 단순하고 생산성이 높은 장점이 있다. 또한, 이 발명은 저온에서 도금에 의해 접합부를 형성함에 따라 잔류응력과 변형이 발생하지 않으므로 신뢰성이 높은 접합부를 형성할 수 있고, 전기도금으로 금속 접합부를 형성하므로 전기 전도도와 접합 강도가 우수한 장점이 있다.
- Assignee
- 한국과학기술원,한국기계연구원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2012-03-19
- Application Date
- 2010-06-25
- Application Number
- 10-2010-0060368
- Registration Date
- 2012-03-19
- Registration Number
- 10-1130313-0000
- Appears in Collection
- ME-Patent(특허)
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