광유기 플래시 메모리 소자 및 그 제조방법, 광 검출기Photo-induced flash memory element and manufacturing method thereof and photodetector
본 발명의 광유기 플래시 메모리 소자 제조방법은, 채널영역을 갖는 기판 상에 절연층을 형성하는 단계; 상기 절연층 상에 게이트를 형성하는 단계; 상기 절연층 및 상기 게이트를 식각하여 상기 채널영역의 길이를갖도록 하는 단계;상기 채널영역을 사이에 두고 서로 이격된 소스 및 드레인을 상기 기판 내에 형성하는 단계; 상기 절연층의 일부를 제거하여 수평방향의 나노갭을 형성하는 단계; 상기 나노갭 내에 터널링 절연층 및 제어 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 나노갭 내에서 상기 터널링 절연층 및 상기 제어 절연층이 형성되지 않은 부위에 광활성 물질을 삽입하는 단계;를 포함한다.
- Assignee
- 한국과학기술원
- Country
- KO (South Korea)
- Issue Date
- 2013-06-14
- Application Date
- 2011-07-29
- Application Number
- 10-2011-0076104
- Registration Date
- 2013-06-14
- Registration Number
- 10-1277052-0000
- Appears in Collection
- EE-Patent(특허)
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